Texas Instruments sceglie Lehi, nello Utah, per la sua nuova fabbrica di wafer da 300 millimetri

Texas Instruments ha annunciato il suo progetto di costruire un nuovo impianto di fabbricazione (o fab) per wafer da 300 millimetri a Lehi, nello Utah. La nuova fabbrica sarà ubicata vicino alla già esistente fabbrica di wafer da 300 mm dell'azienda a Lehi, la LFAB. Una volta completate, le due fabbriche di Lehi di TI lavoreranno come un'unica struttura.

L'investimento da 11 miliardi di dollari rappresenta il più grande investimento economico nella storia dello Utah. L'ampliamento di Lehi andrà a creare circa 800 ulteriori posti di lavoro per TI e migliaia di posti nell'indotto. TI punta a rafforzare la sua partnership con l'Alpine School District e investirà 9 milioni di dollari per migliorare le opportunità e gli sbocchi lavorativi per gli studenti.

Lehi si trova in una posizione ideale grazie alla possibilità di accedere a talenti esperti e qualificati, a una solida infrastruttura già esistente e a una forte rete di partner nella comunità. La nuova fabbrica produrrà ogni giorno decine di milioni di chip per l'elaborazione analogica e integrata, che verranno installati in dispositivi elettronici ovunque.

La fabbrica verrà progettata per soddisfare uno dei più alti livelli di efficienza e sostenibilità strutturale previsti dal sistema di valutazione degli edifici LEED (Leadership in Energy and Environmental Design), il LEED Gold. I progetti comprendono il riciclaggio dell'acqua ad un tasso quasi doppio rispetto alla fabbrica di Lehi già esistente. Attrezzature e processi avanzati per i 300 mm a Lehi contribuiranno a ridurre ulteriormente i rifiuti e il consumo di acqua ed energia per chip.

L'avvio della costruzione della nuova fabbrica è previsto per la seconda metà del 2023, mentre la produzione partirà dal 2026. Il costo della nuova fabbrica è incluso nel piano di spesa in conto capitale precedentemente annunciato da TI, volto ad ampliarne la capacità produttiva, che andrà ad aggiungersi alle fabbriche da 300 mm già esistenti di TI, che comprendono DMOS6 (Dallas), RFAB1 e RFAB2 (entrambe a Richardson, in Texas) ed LFAB (a Lehi, nello Utah). Inoltre, TI sta costruendo quattro nuove fabbriche per wafer da 300 mm a Sherman, in Texas.